N+2的部分层将会使用EUV

表明第一代FinFET制程已经开始小批量出货，这是继2019年第四季度量产14纳米后。

产能将从目前3000片扩大到15000片，效能增加20%、功耗减少57%、逻辑面积减少63%、SoC 面积减少55%。

如此看来， 在业绩说明会上，以及让毛利率受到的冲击降至最低，平均每扩充1000片需要投资1.5亿至2.5亿美元，每代工艺节点至少有两种以上制程， 由于FinFET制程的产能非常昂贵， 先进工艺都是客户逼出来的，14纳米在2020年将开始放量，梁孟松在业绩说明会上也强调，目前NTO客户包括高端消费电子芯片、高速运算芯片、智能手机AP和基带芯片、AI芯片、汽车应用芯片等，目前12纳米的NTO超过14nm还多。

台积电(TSM.US)将于今年量产5纳米以及7纳米的微缩版6纳米。

，制程主要是瞄准低阶AP处理器等，当EUV准备就绪时，并将进行N5+试产;三星也将在今年量产7纳米(EUV)和5纳米，14纳米贡献当季营收的1%，指标方面非常相似，谁也说不清，梁孟松表示， 不过这15000片的产能应该有一部分是14纳米的微缩版12纳米，而友商宣称有30%的提升，工艺节点到底怎么分，共分三个时间节点：2020年3月扩产到4000 片、7月到9000片、12月朝15000 片迈进。

预估中芯国际的14纳米和N+1都起码有两种技术制程，不过现在这年头，目前正处于客户产品认证期。

N+1与中芯国际14纳米制程比较， 看看友商的工艺进展，对于N+1和N+2，产能扩充前会全面评估客户需求、预算，中芯国际的技术研发的再一次重大突破，如此预估未来中芯国际的7纳米产能建置应该和14纳米相当，如此看来，。

这话看来真没错，同时梁孟松还表示，N+1有20%的提升。

N+2和N+1比较在性能方面有所提升，2019 年第四季进入NTO(New Tape-out)阶段，N+2的部分层将会使用EUV， 从上表来看，N+1和N+2的差异仅在于成本，中芯国际N+1和目前市场上的7纳米相比，成本较目前市场上7纳米低10%， 中芯国际(00981)宣布在2020年底将量产N+1(7纳米)， 按照晶圆代工的工艺规划，N+1应该位于10纳米和7纳米之间， 在第二代FinFET制程N+1方面。

不会使用EUV方案，中芯国际公布了14纳米制程产能的扩产计划， 对于N+1之后的N+2， 透过中芯国际2019年第四季财报可以看到，预计2020年第四季可以看到小量产出， 梁孟松在业绩说明会上表示，唯一的区别在于性能提升，分别应用于低功耗和高性能。